池州干式变压器该相同的现象是在降低了电感的

池州干式变压器该相同的现象是在降低了电感的

　　上产生的各种噪声，也。由于成本相对较低，使用容易，还有一系列的量值可选用，板上用来减小电磁干扰（EMI）的主要器件。由于寄生参数具有重要的影响，故电容器的选择要比其容量的选择更为重要。

　　电气器噪声可以以许多不同的方式引起。在数字电路中，这些噪声主要由开关式集成电路，池州干式变压器和调整器所产生，而在射频电路中则主要由振荡器以及放大电路产生。无论是池州干式变压器和地平面上，还是线自身上的这些干扰都将会对系统的工作形成影响，另外还会产生辐射。

　　本文将重点讨论多层陶瓷电容器，包括表面贴装和引脚两种类型。讨论如何计算这些简单器件的阻抗和插入损耗之间的相互关系。文中还介绍了一些改进型规格的测试，如引线电感和低频电感，另外，还给出了等效电路模型。这些模型都是根据测得的数据导出的，还介绍了相关的测试技术。针对不同的制造工艺，测试了这些寄生参数，并绘制出了相应的阻抗曲线。

　　所幸的是，电容器还算简单的器件。由于电容器是一个双端口器件，故仅有一种方法与传输线并接。不要将该器件看作一只电容器，更容易的方法是将其看作为一个阻抗模块。当其与传输线并联时，甚至可以将其视作为一个导纳模块。

　　然后，利用ABCD参数和散射（S）参数之间的关系，可以得到插入损耗S21的幅度为：

　　有一些插入点可以来观察方程2。首先，对于一个高性能的陶瓷电容器来说，其相角在整个频段中都非常接近±90°，只有谐振点附近除外（见图2）。

　　故该相角可以被忽略，并且在绝大多数的频谱上都能给出较好的结果。另一个很好的近似是当Z0》》？Z？？时，方程3可以被进一步简化为：

　　作为一个例子，表1中给出了对一只1000-pF的旁路电容器测出的阻抗及由此计算出来的插入损耗。所有的插入损耗数据都基于50欧阻抗。如表中所给出，一旦电容器的阻抗开始增加到50欧，方程3将快速发生突变。

　　对于MLCC电容器来说，简单的（当然也是的）模型是串联模型（见图3）。

　　该模型给出了适用于绝大多数表面贴装MLCC的正确阻抗曲线。记住电容值将随温度和偏置而变化。等效串联电阻（ESR）随温度、偏置和频率变化，而等效串联电感（ESL）却基本保持不变。对阻抗来说，也许重要的部分是谐振点，因为这是衰减的频率。众所周知，计算谐振频率的公式是：

　　对于各类表面贴装的不同封装的电感值，可以利用方程2中所描述的测量技术来计算。例如，如果系统中产生了800MHz的噪声，随后可以在PCB上将其定位到一个确定的区域。选择一个标称容量为39pF的电容，并将其安装到尽可能靠近产生噪声的地方，这对于减小EMI来说，将是的选择。减小矩形芯片电感的一个有效方式就是改进芯片纵长方向端头的设计。所选电容器的阻抗曲线所示。注意通过改变纵横比，寄生电感减小了大约50%，即从1200pH减小到600pH。这有效地偏移开了衰减点，故在利用这些器件来进行EMI滤波时只需牢记这一点。

　　引脚电容相对于表面贴装电容器，除了增加了引脚之外，其他并没有什么不同。其等效模型与MLCC模型一样，除了增加了引脚所产生的电感之外，见图5。

　　引脚所产生的电感对阻抗的影响如图6所示。一个很好的经验算法是，电路板上每0.10“的引脚长度将产生2.5nH的电感。就像低电感电容器将频率向高处偏移一样，引脚器件将频率往低端偏移。要实现的EMI滤波，必须牢记这一点。

　　更好的EMI防护器件是穿心电容器芯片。这是一个三端口表面贴装器件。图7所示的是穿心电容器的等效电路。该结构在允许穿越器件的同时，利用电容将EMI噪声滤波到地。

　　对于寄生参数来说，这种几何结构具有几个有趣的问题。首先，电容器的寄生电感要比具有等效电容的相当尺寸的片式电容器要小得多。可以测量穿心电容的寄生电感，大约为250pH。该相同的现象是在降低了电感的同时也降低了ESR（通道长度，通道长度，通道长度！）后，穿通部分中电感的引入将增加衰减带宽。图8给出了一只100pF的穿心电容和一个等效的标准片式电容之间的插入损耗比较。

　　这里所讨论的表面贴装器件与传统的穿墙安装的、采用圆盘式电容的穿心滤波器有直接关系。

　　该滤波器的等效电路与穿心片式电容相似，不过圆盘式的形状具有更低的寄生电感。通道或穿越机箱或外壳的池州干式变压器线上所用的滤波器对进入和输出的噪声都予以衰减。当系统内产生高频（》500MHz）时，可以用圆盘式的穿心滤波器来隔离不同的系统（如模拟或数字系统），以便消除有害的干扰。

　　不过，即便是再好的滤波方案也无法解决电路板设计低劣引起的问题。用长度过长，高感应的印刷线来连接电容器无疑将影响MLCC的谐振点。

　　如果将全频段的所有噪声都并联入地，则地平面就好像一个天线，将会导致强辐射问题。

　　任何时候，如果可能的话，应该使用多层板，这样，无论是池州干式变压器还是地平面都具有较大的面积，可以降低系统中所产生的EMI问题。

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　　和特点 可调 / 可选的 3V、3.3V 或 5V 输出电压2V 至 10V 输入电压范围高达 50mA 的输出电流仅需 3 个外部电容器软启动可限制接通时的浪涌电流低工作电流：60μA非常低的停机电流： 1μA停机模式使负载与 VIN 断接VOUT 可编程至 3V/5V 或 3.3V/5V短路和过热保护650kHz 开关频率漏极开路上电复位输出采用 SO-8 封装 产品详情 LTC®1515、LTC1515-3/5 和 LTC1515-3.3/5 是微功率开关电容器 DC/DC 转换器，其通过对输入电压进行升压或降压操作以产生一个稳定的输出电压。输出电压可采用一个外部电阻分压器进行调节 (LTC1515)，或可采用一个逻辑引脚编程至 3V/5V (LTC1515-3/5) 或 3.3V/5V (LTC1515-3.3/5)。所采用的一种独特架构使得这三款器件能够适应很宽的输入电压范围 (2V 至 10V)，同时保持 ±4% 的准确度。附加的电路可避免在存在大的 VIN 至 VOUT 电压差时产生过大的浪涌电流和输出电压纹波。一个内部上电复位电路在初始上电时强制 POR 引脚为低电平。POR 输出保持低电平，直到 VOUT 处于状态之后 200ms (典型值) 为止。LTC1515、LTC1515-3/5 和 LTC1515-3.3/5 具有短路和过...

　　和特点 ESD 保护等级超过 ±10kV 使用小的电容器：0.1μF 120kBaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 2500pF) 250kBaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 1000pF) 输出可承受 ±30V 而不受损 与 CMOS 器件相似的低功率：40mW 采用单 5V 池州干式变压器工作 坚固型双极性设计 当关闭或断电时输出呈高阻抗状态 满足所有的 RS232 规格要求 可提供带或不带停机功能的版本 无闭锁现象 采用 SO 封装 产品详情 LT®1180A / LT1181A 是双通道 RS232 驱动器 / 接收器对，其具有集成化充电泵，以依靠单 5V 池州干式变压器产生 RS232 电压电平。这些电路采用坚固型双极性设计，以提供同类竞争 CMOS 设计无可比拟的操作故障耐受力和 ESD 保护水平。这些电路仅采用 0.1μF 外部电容器，消耗功率仅为 40mW，其传输速率可达 120k baud，甚至在驱动重的容性负载时也不例外。芯片上的新型 ESD 结构使得 LT1180A / LT1181A 能够安然承受多次 ±10kV ESD 冲击，从而免除了在 RS232 线路引脚上增设昂贵 TransZorbs® 的需要。LT1180A / LT1181A 完全符合 EIA RS232 标准。驱动器输出得到了过载保护，并可短路至地或高达 ±30V 而不受损坏。在停...

　　和特点 ESD 保护等级超过 ±10kV(对于 LT1133A、LT1137A 和 LT1141A 为 ±15kV IEC-1000-4-2) 使用小的电容器：0.1μF、0.2μF 在停机 (SHUTDOWN) 模式中池州干式变压器电流为 1μA 120kbaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 2500pF) 250kbaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 1000pF) 与 CMOS 器件相似的低功率 简易的 PC 布局：直通式架构 坚固型双极性设计：无闭锁现象 当关闭或断电时输出呈高阻抗状态 改进的保护能力：RS232 I/O 线V 而不致受损 输出过压不会强迫电流返回到池州干式变压器中 可提供 SO 封装和 SSOP 封装 产品详情 LT®1130A / LT1140A 系列 RS232 收发器采用了特殊的双极型结构技术，可在故障情况超过针对 RS232 所规定的限值时保护驱动器和接收器免受损坏。驱动器输出和接收器输入可短接至 ±30V，并不会损坏器件或池州干式变压器池州干式变压器。此外，RS232 I/O 引脚能安然承受多次 ±10kV ESD 冲击。一个先进的驱动器输出级在驱动重的容性负载时传输速率高达 250kbaud。池州干式变压器电流通常为 12mA，这与 CMOS 器件不相上下。隶属该系列的一些器件具有灵活的操作模式控制功能。DRIVER DISA...

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　　和特点 ESD 保护等级超过 ±10kV 低成本 使用小的电容器：0.1μF 与 CMOS 器件相似的低功率：40mW 采用单 5V 池州干式变压器工作 120kBaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 2500pF) 250kBaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 1000pF) 坚固型双极性设计 当断电时输出呈高阻抗状态 无闭锁现象 可提供窄体 SO 封装 产品详情 LT®1381 是一款双通道 RS232 驱动器 / 接收器对，其具有集成化充电泵，以依靠单 5V 池州干式变压器产生 RS232 电压电平。该电路采用坚固型双极性设计，以提供同类竞争 CMOS 设计无可比拟的操作故障耐受力和 ESD 保护水平。此电路仅采用 0.1μF 外部电容器，消耗功率仅为 40mW，其传输速率可达 120kbaud，甚至在驱动重的容性负载时也不例外。芯片上的新型 ESD 结构使得 LT1381 能够安然承受多次 ±10kV ESD 冲击，从而免除了在 RS232 线路引脚上增设昂贵 TransZorbs® 的需要。驱动器输出得到了过载保护，并可短路至地或高达 ±25V 而不受损坏。在池州干式变压器关闭的情况下，驱动器和接收器输出处于高阻抗状态，从而实现了线路共享。应用 便携式计算机 电池供电型系统 池州干式变压器池州干式变压器 终端 调制解调器 方框图...

　　和特点 ESD 保护等级超过 ±10kV(对于 LT1133A、LT1137A 和 LT1141A 为 ±15kV IEC-1000-4-2) 使用小的电容器：0.1μF、0.2μF 在停机 (SHUTDOWN) 模式中池州干式变压器电流为 1μA 120kBaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 2500pF) 250kBaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 1000pF) 与 CMOS 器件相似的低功率 简易的 PC 布局：直通式架构 坚固型双极性设计：无闭锁现象 当关闭或断电时输出呈高阻抗状态 改进的保护能力：RS232 I/O 线V 而不致受损 输出过压不会强迫电流返回到池州干式变压器中 可提供 SO 封装和 SSOP 封装 产品详情 LT®1130A / LT1140A 系列 RS232 收发器采用了特殊的双极型结构技术，可在故障情况超过针对 RS232 所规定的限值时保护驱动器和接收器免受损坏。驱动器输出和接收器输入可短接至 ±30V，并不会损坏器件或池州干式变压器池州干式变压器。此外，RS232 I/O 引脚能安然承受多次 ±10kV ESD 冲击。一个先进的驱动器输出级在驱动重的容性负载时传输速率高达 250kbaud。池州干式变压器电流通常为 12mA，这与 CMOS 器件不相上下。隶属该系列的一些器件具有灵活的操作模式控制功能。DRIVER DIS...

　　和特点 10mA 池州干式变压器电流 ESD 保护等级超过 ±10kV 使用小的电容器：0.1μF 120kBaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 2500pF) 250kBaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 1000pF) 输出可承受 ±30V 而不受损 不亚于 CMOS 器件的低功率：40mW 采用单 5V 池州干式变压器工作 坚固型双极性设计 当关闭或断电时输出呈高阻抗状态 满足所有的 RS232 规格要求 可提供带或不带停机功能的版本 无闭锁现象 采用 SO 封装 产品详情 LT®1280A / LT1281A 是双通道 RS232 驱动器 / 接收器对，其具有集成化充电泵，以依靠单 5V 池州干式变压器产生 RS232 电压电平。这些电路采用坚固型双极性设计，以提供同类竞争 CMOS 设计无可比拟的操作故障耐受力和 ESD 保护水平。这些电路仅采用 0.1μF 外部电容器，消耗功率仅为 40mW，其传输速率可达 120kbaud，甚至在驱动重的容性负载时也不例外。芯片上的新型 ESD 结构使得 LT1280A / LT1281A 能够安然承受多次 ±10kV ESD 冲击，从而免除了在 RS232 线路引脚上增设昂贵 TransZorbs® 的需要。LT1280A / LT1281A 完全符合 EIA RS232 标准。驱动器输出得到了过载保护，并可短路至地或高达 ±30V...

　　和特点 所有的滤波器参数均在整个温度范围内得到保证 宽的中心频率范围 (0.1Hz 至 40kHz) 低噪声、宽动态范围 可实现有保证的运行性能 (对于 ±2.37V 和 ±5V 池州干式变压器) 低功耗 有保证的时钟至中心频率准确度：0.8% 有保证的低偏移电压 (在整个温度范围内) 非常低的中心频率和 Q 温度系数 时钟输入可兼容 T2L 或 CMOS 单独的高通 (或者陷波或全通)、带通、低通输出? 产品详情 LTC®1059 包含一个通用、高性能的有源滤波器单元式部件和一个独立的运放。滤波器单元式部件连同 2 至 5 个电阻器能够产生各种不同的二阶滤波器功能，这些功能可在其 3 个输出引脚上提供。这 3 个引脚中的 2 个始终提供低通和带通滤波功能，而第三个输出引脚则能够提供陷波或者高通或全通滤波功能。这些滤波器功能的中心频率可在 0.1Hz 至 40kHz 的范围内调谐，并且取决于一个外部时钟或一个外部时钟和电阻比。滤波器能处理高达 100kHz 的输入频率。对于增益调节或级联方法，独立的运放可用于获得额外的全通和陷波滤波功能。高于 2 阶的滤波器功能可通过级联 LTC1059 和 LTC1060 双通道通用型滤波器或 LTC1061 三通道通用型滤波器获得。可以形成任何经典的滤波器配置 (比...

　　和特点 具 120dB CMRR 的仪表前端的电荷平衡开关操作采用 3V 至 18V 池州干式变压器工作内部或外部时钟可在高达 5MHz 时钟速率下工作低功率具有一个时钟的两个独立部分 产品详情 LTC®1043 是一款单片式、电荷平衡、双通道开关电容器仪表单元式部件。一对开关交替地把一个外部电容器连接至一个输入电压，然后把这个充了电的电容器连接在一个输出端口的两端。内部开关具有一个 “先断后合” 动作。该器件提供了一个内部时钟，这个时钟的频率可利用一个外部电容器进行调节。另外，LTC1043 还可利用一个外部 CMOS 时钟来驱动。当使用低时钟频率时，LTC1043 可提供超精准的 DC 功能，并不需要的外部组件。此类功能是差分电压至单端转换、电压倒相、电压倍增以及二分压、三分压、四分压、五分压等等。LTC1043 还可用于的电压–频率 (V–F) 和频率–电压 (F–V) 转换电路 (无需修整)，而且，它也是一款用于开关电容滤波器、振荡器和调制器的单元式部件。LTC1043 运用凌力尔特 (现隶属 ADI) 的增强型 LTCMOS™ 硅栅工艺制造。应用精准仪表放大器超精准电压倒相器、倍增器和分压器V–F 和 F–V 转换器采样及保持开关电容滤波器 ...

　　和特点 ESD保护等级超过 ±10kV(对于 LT1133A、LT1137A 和 LT1141A 为 ±15kV IEC-1000-4-2) 使用小的电容器：0.1μF、0.2μF 在停机 (SHUTDOWN) 模式中池州干式变压器电流为 1μA 120kbaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 2500pF) 250kbaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 1000pF) 与 CMOS 器件相似的低功率 简易的 PC 布局：直通式架构 坚固型双极性设计：无闭锁现象 当关闭或断电时输出呈高阻抗状态 改进的保护能力：RS232 I/O 线V 而不致受损 输出过压不会强迫电流返回到池州干式变压器中 可提供 SO 封装和 SSOP 封装 产品详情 LT®1130A / LT1140A 系列 RS232 收发器采用了特殊的双极型结构技术，可在故障情况超过针对 RS232 所规定的限值时保护驱动器和接收器免受损坏。驱动器输出和接收器输入可短接至 ±30V，并不会损坏器件或池州干式变压器池州干式变压器。此外，RS232 I/O 引脚能安然承受多次 ±10kV ESD 冲击。一个先进的驱动器输出级在驱动重的容性负载时传输速率高达 250kbaud。池州干式变压器电流通常为 12mA，这与 CMOS 器件不相上下。隶属该系列的一些器件具有灵活的操作模式控制功能。DRIVER DISAB...

　　和特点 10mA 池州干式变压器电流 ESD 保护等级超过 ±10kV 使用小的电容器：0.1μF 120kBaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 2500pF) 250kBaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 1000pF) 输出可承受 ±30V 而不受损 不亚于 CMOS 器件的低功率：40mW 采用单 5V 池州干式变压器工作 坚固型双极性设计 当关闭或断电时输出呈高阻抗状态 满足所有的 RS232 规格要求 可提供带或不带停机功能的版本 无闭锁现象 采用 SO 封装 产品详情 LT®1280A / LT1281A 是双通道 RS232 驱动器 / 接收器对，其具有集成化充电泵，以依靠单 5V 池州干式变压器产生 RS232 电压电平。这些电路采用坚固型双极性设计，以提供同类竞争 CMOS 设计无可比拟的操作故障耐受力和 ESD 保护水平。这些电路仅采用 0.1μF 外部电容器，消耗功率仅为 40mW，其传输速率可达 120kbaud，甚至在驱动重的容性负载时也不例外。芯片上的新型 ESD 结构使得 LT1280A / LT1281A 能够安然承受多次 ±10kV ESD 冲击，从而免除了在 RS232 线路引脚上增设昂贵 TransZorbs® 的需要。LT1280A / LT1281A 完全符合 EIA RS232 标准。驱动器输出得到了过载保护，并可短路至地或高达 ±30V...

　　和特点 低池州干式变压器电流：200μA无需外部组件失调电压：10μV失调电压漂移：0.1μV/°C单池州干式变压器操作：4.75V 至 16V输入共模范围包括地电位输出摆动至地电位典型过载恢复时间：6ms采用 8 引脚 SO 封装和 PDIP 封装 产品详情 LTC®1049 是一款高性能、低功率零漂移运算放大器。其他斩波器稳定型放大器通常在外部需要的两个采样及保持电容器实现了片内集成。而且，LTC1049 还提供优越的 DC 和 AC 性能，标称池州干式变压器电流仅为 200μA。LTC1049 具有 2μV 的典型失调电压、0.02μV/°C 的漂移、3μVP-P 的 0.1Hz 至 10Hz 输入噪声电压、和 160dB 的典型电压增益。转换速率为 0.8V/μs，增益带宽乘积为 0.8MHz。从饱和状态的过载恢复时间为 6ms，比采用外部电容器的斩波放大器有了显著的改善。LTC1049 采用标准的 8 引脚塑料双列直插式封装以及 8 引脚 SO 封装。LTC1049 可以作为大多数标准运放的插入式替代产品，其拥有改善的 DC 性能和实质性的节能效果。应用4mA 至 20mA 电流环路热电偶放大器电子衡器医疗仪表应变仪放大器高分辨率数据采集 方框图...

　　和特点 50mΩ 理想二极管 (从 VIN 至 VOUT) 智能充电电流模式可限制浪涌电流 内部电池平衡器 (无外部电阻器) 可编程输出电压 (LDO 模式) 可编程 VIN 至 VOUT 电流限值 可通过 PROG 引脚连续监视 VIN 至 VOUT 电流 低静态电流：20μA VIN 池州干式变压器故障、PGOOD 指示器 2.45V/2.7V 电池保护分路 (4.9V/5.4V 超级电容器 Top-Off 电压) 3A 峰值电流限值，热限制 纤巧型应用电路，3mm x 3mm x 0.75mm DFN 封装和 12 引脚 MSOP 封装 产品详情 LTC®4425 是一款恒定电流/恒定电压线性充电器，专为从一个锂离子/锂聚合物电池、一个 USB 端口或一个 2.7V 至 5.5V 电流限制池州干式变压器对一个两节超级电容器电池组进行充电而设计。该器件起一个理想二极管的作用，并具有一个极低的 50mΩ 接通电阻，从而使其成为高峰值功率/低平均功率应用的合适之选。LTC4425 能够以一个恒定充电电流将输出电容器充电至一个外部设置的输出电压 (在 LDO 模式中)，或者运用一种智能充电电流模式将输出电容器充电至 VIN (在标准模式中) 以限制浪涌电流，直到 VIN 至 VOUT 之差少于 250mV 为止。此外，也可把 LTC4...

　　和特点 准确度达 ±2% 的可编程 (高达 3A) 平均输入电流限值可编程电容器电压限值主动电荷平衡用于实现不匹配电容器的快速充电可给单个电容器或堆叠式电容器充电VIN 范围：1.73V 至 5.5VVOUT 范围：1.8V 至 5.5V当充电时从 VOUT 吸收的静态电流 2μA在停机模式中提供输出断接：1μA IQ 停机电流池州干式变压器良好比较器池州干式变压器故障指示器耐热性能增强型 20 引脚 (4mm x 5mm x 0.75mm) QFN 封装和 24 引脚 TSSOP 封装 产品详情 LTC®3128 是一款高效率、降压-升压型 DC/DC 超级电容器充电器。其可在输入电压高于、低于或等于输出电压的情况下高效运作。LTC3128 具有准确的可编程平均输入电流限值、主动电荷平衡功能和可编程电容器电压。这种特性组合使得 LTC3128 非常适合于对后备池州干式变压器系统中的大电容器进行安全的充电和保护。输入电流限值和电容器电压均采用单个电阻器来设置。平均输入电流可在一个 0.5A 至 3A 的可编程范围内进行准确的控制，而个别的电容器电压则可以设定在 1.8V 至 3.0V 之间。LTC3128 的其他特点包括在突发模式 (Burst Mode®) 操作中从VOUT 吸收的静态电流2μA、准确的池州干式变压器良...

　　和特点 用于提供系统后备池州干式变压器的双向同步升压型电容器充电器 / 降压型器宽输入电压范围：3V 至 17V高达 40V 的电容器电压存储器用于提供高能量后备2A 的 CAP 充电电流集成型 N 沟道功率 MOSFET (150mΩ 上管和 75mΩ 下管)用于实现输出 / CAP 断接的集成型 N 沟道功率 MOSFET (50mΩ)充电期间的输入电流限制快速 1MHz 开关频率用于系统电压调节的 ±1% 基准准确度用于指示充电状态和输入池州干式变压器故障的指示器输出扁平 24 引脚 3mm x 5mm QFN 封装 产品详情 LTC®3643 是一款双向同步升压型充电器和降压型转换器，其能够采用一个电压介于 3V 至 17V 之间的输入池州干式变压器有效地给一个高达 40V 的电容器阵列充电。当输入池州干式变压器降至低于可编程的池州干式变压器故障门限时，升压型充电器作为一个同步降压型器反向运作，以在这种池州干式变压器中断 / 故障情况下从后备电容器来给系统电压轨供电。当给后备电容器充电时，可以采用一个外部低值检测电阻器来保持一个准确的电流限值 (针对来自输入池州干式变压器的电流) 或执行池州干式变压器通路 (PowerPath™) 功能。降压型转换器工作在一个 1MHz 的开关频率，因而允许使用小的外部组件。调节期间的低静态电流可限度地减少后备...

　　和特点 VCAP 工作范围：0.1V 至 5.5VVSYS 工作范围：1.71V 至 5.25V从充电模式至后备模式的自动切换准确度为 ±2% 的可编程充电输入电流限值从 125mA 至 2A±1% 后备电压准确度自动后备电容器平衡固定的 1.2MHz 开关频率突发模式 (Burst Mode®) 操作：40μA 静态电流具集电极开路输出的内置可编程通用型比较器用于指示操作方向和充电结束的集电极开路输出耐热性能增强型 TSSOP-24 封装和 4mm x 4mm QFN-24 封装 产品详情 LTC®3110 是一款具有电容器充电器和平衡器的 2A 双向降压-升压型 DC/DC 器。该器件拥有很宽的 0.1V 至 5.5V 电容器 / 电池电压和 1.8V 至 5.25V 系统后备电压范围，从而使其非常适合于众多采用超级电容器或电池的后备应用。一种专有的低噪声开关算法优化了效率，且电容器 / 电池电压可高于、低于或等于系统输出电压。LTC3110 能够根据一个外部命令自主地从充电模式转换至后备模式或开关模式。引脚可选的突发模式操作可减小待机电流和改善轻负载效率，其与 1μA 的停机电流相组合，使得 LTC3110 成为后备应用的理想选择。这款器件的其他特点包括用于方向控制和充电结束的电压监控器，以及一个具有...

　　和特点 VIN 电压范围：3V 至 20VVOUT 电压范围：2.7V 至 5V1A 电流模式降压主器采用单个超级电容器向 5A 升压型后备器供电升压型器可在低至 0.5V 的电压条件下运作，以限度地利用超级电容器的储能可编程超级电容器充电电流至 1A，并具过压保护功能充电器可支持单节 CC/CV 电池充电可编程 VIN 电流限值可编程升压电流限值VIN 池州干式变压器故障指示器VCAP 池州干式变压器良好指示器VOUT 上电复位输出紧凑型 20 引脚 4mm x 4mm QFN 封装 产品详情 LTC®3355 是一款完整的输入池州干式变压器中断凌驾 DC/DC 系统。该器件可在向 VOUT 输送负载电流的同时给一个超级电容器充电，并在 VIN 池州干式变压器缺失的情况下使用来自超级电容器的能量以提供连续的 VOUT 后备池州干式变压器。LTC3355 包含一个异步、恒定频率、电流模式、单片 1A 降压型开关器，以采用一个高达 20V 的输入池州干式变压器来提供 2.7V 至 5V 的稳定输出电压。一个 1A 可编程恒定电流 / 恒定电压 (CC/CV) 线性充电器负责从 VOUT 给超级电容器充电。当 VIN 池州干式变压器降至低于 PFI 门限时，该器件的恒定频率、异步、电流模式 5A 升压型开关器将从超级电容器向 VOUT ...

　　和特点 两个串联超级电容器的高效率升压/降压充电 自动电池平衡可防止电容器在充电期间出现过压状况 高达 500mA (单个电感器)、1A (双电感器) 的可编程充电电流 VIN = 2.7V 至 5.5V 每节超级电容器可选的 2.4V/2.65V (LTC3625) 每节超级电容器可选的 2V/2.25V (LTC3625-1) 低的无负载静态电流：23μA 在停机模式中 IVOUT、IVIN 1μA 扁平 12 引脚 3mm x 4mm DFN 封装 产品详情 LTC®3625/LTC3625-1 是可编程超级电容器充电器，专为从一个 2.7V 至 5.5V 输入池州干式变压器将两个串联超级电容器充电至一个固定输出电压 (可选择 4.8V/5.3V 或 4V/4.5V) 而设计。自动电池平衡功能可在实现充电速率化的同时防止任一个超级电容器遭受过压损坏。无需使用平衡电阻器。 高效率、高充电电流、低静态电流和极低的外部组件数目 (一个电感器、VIN 上的一个旁路电容器和一个编程电阻器) 使得 LTC3625/LTC3625-1 非常适合小外形的后备或高峰值功率系统。 充电电流/输入电流水平利用一个外部电阻器来设置。当输入池州干式变压器拿掉和/或 EN 引脚为低电平时，LTC3625/LTC3625-1 将自动进入一种低电流状态，此...

　　和特点 可对 1 ~ 4 节串联超级电容器进行高效同步降压型恒流/恒压 (CC/CV) 充电后备模式中的升压模式可提供更高的超级电容器储能利用率14 位 ADC 用于监视系统电压 / 电流、电容值和 ESR主动过压保护分路内部有源平衡器 ── 无需平衡电阻VIN：4.5V ~ 35V，VCAP(n)：每个电容器高达 5V，充电 / 后备电流：10+A可编程输入电流限制将系统负载的优先级确定为高于电容器充电电流双通道理想二极管池州干式变压器通路 (PowerPath™) 控制器全 N-FET 充电器控制器和 PowerPath 控制器紧凑型 38 引脚 5mm x 7mm QFN 封装 产品详情 LTC®3350 是一款后备池州干式变压器控制器，能够对一个含有 1 至 4 个超级电容器的串联堆栈进行充电和监视。LTC3350 的同步降压型控制器负责驱动 N 沟道 MOSFET，利用可编程输入电流限值实现恒流 / 恒压充电。此外，降压转换器还可作为一个升压转换器反向运行以从超级电容器组向后备池州干式变压器轨输送电能。内部平衡器免除了增设外部平衡电阻的需要，而且每个电容具有一个用于提供过压保护的分路调节器。LTC3350 可监视系统电压、电流、电容组电容和电容组 ESR，这些信息均可通过 I2C / SMBus 读取。双通道理想二极管控...

　　和特点 具电路断路器的集成化热插拔控制器可对 1 至 4 节串联超级电容器进行高效率同步降压型恒定电流 / 恒定电压 (CC/CV) 充电后备模式中的升压模式可提供更高的超级电容器储能利用率16 位 ADC 用于监视系统电压 / 电流、电容和 ESR可编程欠压和过压门限至 35VVIN：4.5V 至 35V，VCAP(n)：每个电容器高达 5V，充电 / 后备电流：10A可编程输入电流限制把系统负载的优先级确定为高于电容器充电电流全 N-FET 充电器控制器和 PowerPath 控制器紧凑型 44 引脚 4mm x 7mm QFN 封装 产品详情 LTC®3351 是一款后备池州干式变压器控制器，其能够对一个含有 1~4 个超级电容器的串联堆栈进行充电和监察。LTC3351 的同步降压型控制器负责驱动 N 沟道 MOSFET，以利用可编程输入电流限值实现恒定电流 / 恒定电压充电。此外，降压转换器还可作为一个升压转换器反向运行，以从超级电容器组向后备池州干式变压器轨输送电能。内部平衡器免除了增设外部平衡电阻器的需要，而且每个电容器具有一个用于提供过压保护的分路调节器。LTC3351 可监视系统电压、电流、电容器组电容和电容器组 ESR，这些信息均可通过 I2C / SMBus 端口读取。热插拔控制器采用...

　　和特点 2.5A 降压超级电容器充电器和 2.5A 升压备份池州干式变压器 适用于使用一个超级电容器或两个串联超级电容器的 2.5A 备份池州干式变压器的 6.5A 开关 输入电流限制将负载优先于充电电流进行处理 输入断开开关可在备份期间隔离输入 自动无缝切换到备份模式 内部超级电容器平衡器（无外部电阻器） 可编程充电电流和充电电压 输入池州干式变压器故障指示器 系统池州干式变压器正常指示器 可选 OVP 电路可保护器件不受 60V 电压影响 恒频运行 热增强 24 引脚 4mm × 5mm QFN 封装 产品详情 LTC4041 是适用于 2.9V 至 5.5V 池州干式变压器轨的完整超级电容器备份系统。它包含高电流降压/转换器，用于为单个超级电容器或两个串联超级电容器充电。当输入池州干式变压器不可用时，降压器将作为升压器反向运行，从超级电容器备份系统输出。LTC4041 的可调输入电流限制功能可降低充电电流，从而保护输入池州干式变压器免受过载影响，同时，外部断开开关会在备份期间隔离输入池州干式变压器。当输入池州干式变压器降至可调 PFI 阈值以下时，2.5A 升压器会从超级电容器向系统输出供电。可选的输入过压保护 (OVP) 电路可保护 LTC4041，避免在 VIN 引脚处发生高电压损坏。内部超级电容器平衡电路可在每个超级电容器...

　　和特点 ESD 保护等级超过 ±10kV(对于 LT1133A、LT1137A 和 LT1141A 为 ±15kV IEC-1000-4-2) 使用小的电容器：0.1μF、0.2μF 在停机 (SHUTDOWN) 模式中池州干式变压器电流为 1μA 120kbaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 2500pF) 250kbaud 传输速率 (RL = 3k，CL = 1000pF) 与 CMOS 器件相似的低功率 简易的 PC 布局：直通式架构 坚固型双极性设计：无闭锁现象 当关闭或断电时输出呈高阻抗状态 改进的保护能力：RS232 I/O 线V 而不致受损 输出过压不会强迫电流返回到池州干式变压器中 可提供 SO 封装和 SSOP 封装 产品详情 LT®1130A / LT1140A 系列 RS232 收发器采用了特殊的双极型结构技术，可在故障情况超过针对 RS232 所规定的限值时保护驱动器和接收器免受损坏。驱动器输出和接收器输入可短接至 ±30V，并不会损坏器件或池州干式变压器池州干式变压器。此外，RS232 I/O 引脚能安然承受多次 ±10kV ESD 冲击。一个先进的驱动器输出级在驱动重的容性负载时传输速率高达 250kbaud。池州干式变压器电流通常为 12mA，这与 CMOS 器件不相上下。隶属该系列的一些器件具有灵活的操作模式控制功能。DRIVER DISA...